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题名: CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较
作者: 王改丽 ; 余学峰 ; 任迪远 ; 郑玉展 ; 孙静 ; 文林 ; 高博 ; 李茂顺 ; 崔江维
会议名称: 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 沈阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2341
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CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较.pdf(332KB)----开放获取View 联系获取全文

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王改丽;余学峰;任迪远;郑玉展;孙静;文林;高博;李茂顺;崔江维.CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较.见:.,,2009,
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文件名: CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较.pdf
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