XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较
王改丽; 余学峰; 任迪远; 郑玉展; 孙静; 文林; 高博; 李茂顺; 崔江维
2009
会议名称第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期2009-07-01
会议地点沈阳
摘要

本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并由此探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.

关键词互补金属氧化物半导体 总剂量辐射 漏电流 响应特性 抗辐射能力
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2341
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆大学物理学院
推荐引用方式
GB/T 7714
王改丽,余学峰,任迪远,等. CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较[C],2009.
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文件名: CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较.pdf
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