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XJIPC OpenIR  > 新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室  > 会议论文
题名:
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
作者: 陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博
会议名称: 中国核学会2009年学术年会
会议日期: 2009-11-18
出版日期: 2009
会议地点: 北京
关键词: 模数转换器 ; 60Coγ辐照 ; 室温退火 ; 偏置条件
主办者: 中国核学会
摘要:

文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.

内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2340
Appears in Collections:新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室_会议论文

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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应.pdf(484KB)会议论文--开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所

Recommended Citation:
陈睿,陆妩,任迪远,等. 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[C]. 见:中国核学会2009年学术年会. 北京. 2009-11-18.
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文件名: 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应.pdf
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