不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博
2009
Conference Name中国核学会2009年学术年会
Conference Date2009-11-18
Conference Place北京
Abstract

文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.

Keyword模数转换器 60coγ辐照 室温退火 偏置条件
Funding Organization中国核学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2340
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
陈睿,陆妩,任迪远,等. 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[C],2009.
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