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题名: SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究
作者: 高博 ; 余学峰 ; 任迪远 ; 李豫东 ; 崔江维 ; 李茂顺 ; 李明 ; 王义元
会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期: 2010
出版日期: 2010
会议地点: 贵阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2338
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SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究.pdf(1446KB)----开放获取View 联系获取全文

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高博;余学峰;任迪远;李豫东;崔江维;李茂顺;李明;王义元.SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究.见:.,,2010,
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