SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究
高博; 余学峰; 任迪远; 李豫东; 崔江维; 李茂顺; 李明; 王义元
2010
会议名称第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2010-08-13
会议地点贵阳
摘要

本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。

关键词Sram型fpga 60coγ 总剂量辐射损伤效应 Cmos单元
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2338
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
高博,余学峰,任迪远,等. SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究[C],2010.
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