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题名: CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究
作者: 李豫东 ; 郭旗 ; 陆妩 ; 余学峰 ; 何承发 ; 李茂顺 ; 兰博
会议名称: 第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期: 2010
出版日期: 2010
会议地点: 贵阳
主办者: 中国电子学会 中国核学会
摘要: 为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理,对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验,共选取了两种不同的电子通量,辐照后对器件进行了常温退火实验,实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律,实验结果表明,CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤,在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2337
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李豫东;郭旗;陆妩;余学峰;何承发;李茂顺;兰博.CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究.见:.,,2010,
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