CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究
李豫东; 郭旗; 陆妩; 余学峰; 何承发; 李茂顺; 兰博
2010
会议名称第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会
会议日期2010-08-13
会议地点贵阳
摘要

为了研究CCD的高能电子辐射损伤机理,对TCD1209线阵CCD进行了能量为1.1MeV的电子辐照实验,共选取了两种不同的电子通量,辐照后对器件进行了常温退火实验,实验过程中考察了CCD受辐照条件下及退火后其光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律,实验结果表明,CCD受电子辐照后主要产生总剂量电离损伤,在不同通量电子辐照下的损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。

关键词线阵ccd 电子辐照 总剂量电离效应 时间相关效应
主办者中国电子学会 中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2337
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李豫东,郭旗,陆妩,等. CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究[C],2010.
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