工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
2009
会议名称中国核学会2009年学术年会
会议日期2009-11-18
会议地点北京
摘要

对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率辐照条件下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化要比零偏置状态严重;低剂量率辐照情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化小于零偏置状态.高剂量率辐照会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管中产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET 运放电路的这种退化行为进行了解释.

关键词Jfet输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤
主办者中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2333
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响[C],2009.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤(339KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[郑玉展]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。