工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
2009
Conference Name中国核学会2009年学术年会
Conference Date2009-11-18
Conference Place北京
Abstract

对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率辐照条件下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化要比零偏置状态严重;低剂量率辐照情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化小于零偏置状态.高剂量率辐照会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管中产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET 运放电路的这种退化行为进行了解释.

KeywordJfet输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤
Funding Organization中国核学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2333
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Affiliation新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响[C],2009.
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