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题名: 工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响
作者: 郑玉展 ; 陆妩 ; 任迪远 ; 王义元 ; 陈睿 ; 费武雄
会议名称: 中国核学会2009年学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 北京
主办者: 中国核学会
摘要: 对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量率辐照条件下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化要比零偏置状态严重;低剂量率辐照情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化小于零偏置状态.高剂量率辐照会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管中产生氧化物正电荷和界面陷阱.从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET 运放电路的这种退化行为进行了解释.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2333
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郑玉展;陆妩;任迪远;王义元;陈睿;费武雄.工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响.见:.,,2009,
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