国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
高博; 余学峰; 任迪远; 刘刚; 王义元; 孙静; 文林; 李茂顺; 崔江维
2009
会议名称中国核学会2009年学术年会
会议日期2009-11-18
会议地点北京
摘要

研究了不同辐射偏置条件下国产N 沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应.探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系.实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,退火后得到部分恢复;击穿电压变小,在退火后得到很好的恢复,但100℃退火时,在漏加偏置电压的条件下,发生了所谓的"击穿蠕变"现象;漏电流发生漂移,但变化很小,漏电增大得到了很好的改进;导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化.

关键词Vdmos器件 总剂量 辐射效应 退火效应
主办者中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2332
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
高博,余学峰,任迪远,等. 国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究[C],2009.
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