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XJIPC OpenIR  > 新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室  > 会议论文
题名: 国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
作者: 高博 ; 余学峰 ; 任迪远 ; 刘刚 ; 王义元 ; 孙静 ; 文林 ; 李茂顺 ; 崔江维
会议名称: 中国核学会2009年学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 北京
主办者: 中国核学会
摘要: 研究了不同辐射偏置条件下国产N 沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应.探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系.实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,退火后得到部分恢复;击穿电压变小,在退火后得到很好的恢复,但100℃退火时,在漏加偏置电压的条件下,发生了所谓的"击穿蠕变"现象;漏电流发生漂移,但变化很小,漏电增大得到了很好的改进;导通电阻在辐照及随后的退火实验中无明显的变化.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2332
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国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.pdf(668KB)----开放获取View 联系获取全文

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高博;余学峰;任迪远;刘刚;王义元;孙静;文林;李茂顺;崔江维.国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究.见:.,,2009,
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