国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
崔江维; 余学峰; 刘刚; 李茂顺; 高博; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿
2009
会议名称中国核学会2009年学术年会
会议日期2009-11-18
会议地点北京
摘要

对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍距初始值有一定负向距离.

关键词60coγ射线 总剂量辐照 退火效应 界面态陷阱电荷亚阈曲线
主办者中国核学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2331
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
崔江维,余学峰,刘刚,等. 国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究[C],2009.
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