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题名: 国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
作者: 崔江维 ; 余学峰 ; 刘刚 ; 李茂顺 ; 高博 ; 兰博 ; 赵云 ; 费武雄 ; 陈睿
会议名称: 中国核学会2009年学术年会
会议日期: 2009
出版日期: 2009
会议地点: 北京
主办者: 中国核学会
摘要: 对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究.结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于厚度和氧化物质量的原因而对总剂量辐照更加敏感;辐照引入界面态陷阱电荷的散射作用降低了正栅源漏饱和电流;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍距初始值有一定负向距离.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2331
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国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究.pdf(518KB)----开放获取View 联系获取全文

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崔江维;余学峰;刘刚;李茂顺;高博;兰博;赵云;费武雄;陈睿.国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究.见:.,,2009,
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