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题名: CCD的总剂量效应及加固方法研究
作者: 李豫东 ; 汪朝敏 ; 郭旗 ; 刘昌举 ; 任迪远 ; 唐遵烈
会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期: 2011
出版日期: 2011
会议地点: 三亚
收录类别: wanfang
主办者: 中国电子学会
摘要: 通过CCD的60Co γ射线与高能电子辐照试验,研究了器件的电离总剂量效应,从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上,对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Co γ射线辐照试验.结果表明,采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2320
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