XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
CCD的总剂量效应及加固方法研究
李豫东; 汪朝敏; 郭旗; 刘昌举; 任迪远; 唐遵烈
2011
会议名称第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期2011-11-01
会议地点三亚
摘要

通过CCD的60Co γ射线与高能电子辐照试验,研究了器件的电离总剂量效应,从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上,对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Co γ射线辐照试验.结果表明,采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平.

关键词图像传感器 电离总剂量效应 60coγ射线 电子辐照 抗辐射加固
主办者中国电子学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2320
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;重庆光电技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李豫东,汪朝敏,郭旗,等. CCD的总剂量效应及加固方法研究[C],2011.
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