XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究
崔江维; 余学峰; 任迪远; 卢健
2011
会议名称第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期2011
会议地点三亚
摘要

对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明,NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而,在应力施加的过程中,一些参数发生了恢复。经过分析,认为正电性的界面态主导了参数的变化,也正是界面态的复合造成了参数的恢复。

关键词金属氧化物半导体场效应管 深亚微米 负偏压温度不稳定性效应 阈值电压 参数优化
主办者中国电子学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2314
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
崔江维,余学峰,任迪远,等. 深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究[C],2011.
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