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题名: 相变存储器单元总剂量辐射效应的研究
作者: 周东 ; 郭旗 ; 宋志棠 ; 吴良才 ; 李豫东 ; 席善斌
会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期: 2011
出版日期: 2011
会议地点: 三亚
收录类别: wanfang
主办者: 中国电子学会
摘要: 通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验,分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化,研究基于Ge2sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示,辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化,相变特性稳定,相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明,基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力.
语种: 中文
内容类型: 会议论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2308
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