XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究
周东; 郭旗; 宋志棠; 吴良才; 李豫东; 席善斌
2011
会议名称第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期2011-11-01
会议地点三亚
摘要

通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验,分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化,研究基于Ge2sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示,辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化,相变特性稳定,相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明,基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力.

关键词航天器 相变存储器 总剂量辐照 抗辐照能力
主办者中国电子学会
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2308
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;新疆功能材料与电子信息器件重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
周东,郭旗,宋志棠,等. 相变存储器单元总剂量辐射效应的研究[C],2011.
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