XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究
周东; 郭旗; 宋志棠; 吴良才; 李豫东; 席善斌
2011
Conference Name第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
Conference Date2011-11-01
Conference Place三亚
Abstract

通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验,分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化,研究基于Ge2sb2Te5合金的相变存储器单元的抗辐照能力。实验显示,辐照后器件单元的阈值电压及阈值电流未发生明显变化,相变特性稳定,相变材料的晶态和非晶态阻值仅有微小变化。结果表明,基于Ge2Sb2Te5合金的相变存储器单元具有较强的抗辐照能力.

Keyword航天器 相变存储器 总剂量辐照 抗辐照能力
Funding Organization中国电子学会
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2308
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;新疆功能材料与电子信息器件重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
周东,郭旗,宋志棠,等. 相变存储器单元总剂量辐射效应的研究[C],2011.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
相变存储器单元总剂量辐射效应的研究.pd(580KB)会议论文 开放获取CC BY-NC-SAView Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[周东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
[宋志棠]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[周东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
[宋志棠]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[周东]'s Articles
[郭旗]'s Articles
[宋志棠]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
File name: 相变存储器单元总剂量辐射效应的研究.pdf
Format: Adobe PDF
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.