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学科主题: Physics (provided by Thomson Reuters)
题名: PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
其他题名: radiation effects of pmosfet irradiated by pulse x-ray
作者: 靳涛; 杨志安; 杨祖慎; 姚育娟; 罗伊虹
关键词: Pulse X-ray ; PMOSFET ; Radiation effects
刊名: 核技术
发表日期: 2005
卷: 28, 期:2, 页:105-108
资助者: 国家自然科学基金项目(批准号:69866001)资助
摘要: 根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
英文摘要: The PMOSFET was irradiated by low energy pulse X-rays and its threshold voltage was continuously measured. Based on the experimental results and the structure of PMOSFET, mechanism of the threshold shift was discussed.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2223
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PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应.pdf(179KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆大学物理系;西北核技术研究所

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靳涛,杨志安,杨祖慎,等. PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应[J]. 核技术,2005,28(2):105-108.
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