XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
崔帅; 余学峰; 任迪远; 张华林; 艾尔肯
2005
发表期刊半导体学报
期号1页码:111-114
摘要对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 ,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性
关键词预先老化 辐照 注f 可靠性
收录类别CSCD
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2214
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
崔帅,余学峰,任迪远,等. 预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响[J]. 半导体学报,2005(1):111-114.
APA 崔帅,余学峰,任迪远,张华林,&艾尔肯.(2005).预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响.半导体学报(1),111-114.
MLA 崔帅,et al."预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响".半导体学报 .1(2005):111-114.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影(154KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[崔帅]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[崔帅]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[崔帅]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。