XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响
张华林; 陆妩; 任迪远; 崔帅
2004
Source Publication微电子学
ISSN1004-3365
Volume34Issue:6Pages:606-608
Abstract

 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。

Keyword双极晶体管 偏置 剂量率 电离辐照
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:1672750
Citation statistics
Cited Times:4[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2211
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张华林,陆妩,任迪远,等. 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响[J]. 微电子学,2004,34(6):606-608.
APA 张华林,陆妩,任迪远,&崔帅.(2004).不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响.微电子学,34(6),606-608.
MLA 张华林,et al."不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响".微电子学 34.6(2004):606-608.
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