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学科主题: Engineering (provided by Thomson Reuters)
题名: 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应
其他题名: low dose rate ionizing radiation response of bipolar transistors
作者: 张华林; 陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 何承发; 艾尔肯; 崔帅
关键词: low dose rate ; ionizing radiation ; bipolar transistor ; space charge
刊名: 半导体学报
发表日期: 2004
卷: 25, 期:12, 页:1675-1679
摘要: 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 .
英文摘要: The effect of low dose rate ionizing radiation is investigated for npn and pnp transistors which are sensitive to the en-hanced low dose rate damage. The results show that the current gain degradation of bipolar transistors is larger at low dose-rate than high dose-rate,and npn transistor is more sensitive than pnp transistor. Possible mechanisms for enhanced damage are discussed.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2208
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双极晶体管的低剂量率电离辐射效应.pdf(170KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所

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张华林,陆妩,任迪远,等. 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应[J]. 半导体学报,2004,25(12):1675-1679.
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