XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
高补偿硅的光敏感特性
其他题名highly compensated si:light-sensitive characteristic
张建; 巴维真; 陈朝阳; 丛秀云; 陶明德; M.K.巴哈迪尔哈诺夫
2004
发表期刊电子元件与材料
ISSN1001-2028
卷号23期号:3页码:20-22
摘要

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。

其他摘要

Highly compensated Si were acquired by diffusing Mn into p-type silicon crystal of 5 Q. o cm at high temperature.It's light-sensitive characteristic was measured at 25°C and -196"C. The measurement results show that obtained materials are sensitive to light and the sensitivity is affected by applied voltage, sample temperature and their resistivity.

关键词P型单晶硅 掺杂锰 高补偿硅 光敏感特性
学科领域Engineering (Provided By Thomson Reuters)
DOI10.14106/j.cnki.1001-2028.2004.03.007
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:1621375
引用统计
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2187
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;塔什干国立技术大学
推荐引用方式
GB/T 7714
张建,巴维真,陈朝阳,等. 高补偿硅的光敏感特性[J]. 电子元件与材料,2004,23(3):20-22.
APA 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,&M.K.巴哈迪尔哈诺夫.(2004).高补偿硅的光敏感特性.电子元件与材料,23(3),20-22.
MLA 张建,et al."高补偿硅的光敏感特性".电子元件与材料 23.3(2004):20-22.
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