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学科主题: Engineering (provided by Thomson Reuters)
题名: 高补偿硅的光敏感特性
其他题名: highly compensated si:light-sensitive characteristic
作者: 张建; 巴维真; 陈朝阳; 丛秀云; 陶明德; M.K.巴哈迪尔哈诺夫
关键词: p型单晶硅 ; 掺杂锰 ; 高补偿硅 ; 光敏感特性
刊名: 电子元件与材料
发表日期: 2004
DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2004.03.007
卷: 23, 期:3, 页:20-22
资助者: 国家外国专家局科研基金资助项目(20036500065);中国科学院西部之光人才培养科研基金资助项目
摘要: 对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。
英文摘要: Highly compensated Si were acquired by diffusing Mn into p-type silicon crystal of 5 Q. o cm at high temperature.It's light-sensitive characteristic was measured at 25°C and -196"C. The measurement results show that obtained materials are sensitive to light and the sensitivity is affected by applied voltage, sample temperature and their resistivity.
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内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2187
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高补偿硅的光敏感特性.pdf(132KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;塔什干国立技术大学

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张建,巴维真,陈朝阳,等. 高补偿硅的光敏感特性[J]. 电子元件与材料,2004,23(3):20-22.
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