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学科主题: Engineering (provided by Thomson Reuters)
题名: CMOS运算放大器的辐照和退火行为
其他题名: radiating and annealing on cmos operation amplifier
作者: 任迪远; 陆妩; 郭旗; 余学锋; 王明刚; 胡浴红; 赵文魁
关键词: CMOS运算放大器 ; 电离辐射 ; 退火
刊名: Chinese Journal of Semiconductors
发表日期: 2004
卷: 25, 期:6, 页:731-734
摘要: 介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律 ,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷 和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.
英文摘要: The behavior of the CMOS op-amps exposed to the ionizing radiation and annealing characteristic after irradiation in different biases and temperature are described. The tested characteristics include all electrical parameters of op-amps and inner transistor,and the current and voltage of the nodes of the subsidiary circuits. The change of radiation-induced oxide trapped charge and Si/SiO2 interface state density depends on the annealing biases and temperature in quite extent.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2169
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CMOS运算放大器的辐照和退火行为.pdf(156KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;西安微电子技术研究所

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任迪远,陆妩,郭旗,等. CMOS运算放大器的辐照和退火行为[J]. Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(6):731-734.
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