XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性
其他题名Correlations Between MOS Structures' Responses to Hot-Carrier Injection and Total Dose Radiation
余学峰; 任迪远; 艾尔肯; 张国强; 陆妩; 郭旗
2005
发表期刊半导体学报
ISSN0253-4177
卷号26期号:10页码:1975-1978
摘要

通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验,探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性.研究结果表明,热载子注入和总剂量辐射都会引起MOS结构的损伤,但前者产生的损伤是由于热电子注入在MOS结构的Si/SiO2系统引入氧化物负电荷引起的,后者产生的损伤是由于电离辐射在MOS结构的Si/SiO2系统感生氧化物正电荷和界面态而导致的.进一步的研究表明,针对总剂量辐射损伤采用的加固工艺,能对热电子注入感生氧化物负电荷起到非常有效的抑制作用.

其他摘要

By comparing the MOS structure's responses to hot-carrier injection and total dose radiation, the correlation between them is investigated. It is shown that both hot-carrier injection and total dose radiation can cause damage on MOS structures, but what hot-carrier injection brings in MOS structures are negative oxide charges, while total dose radiation brings positive oxide charges and interface states. Further investigation indicates that the total dose radiation hardening process can also restrain the generation of negative oxide charges induced by hot-carrier injection.

关键词热载子注入 总剂量辐照 相关性
学科领域Engineering (Provided By Thomson Reuters)
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:2162930
引用统计
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2155
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
余学峰,任迪远,艾尔肯,等. MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性[J]. 半导体学报,2005,26(10):1975-1978.
APA 余学峰,任迪远,艾尔肯,张国强,陆妩,&郭旗.(2005).MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性.半导体学报,26(10),1975-1978.
MLA 余学峰,et al."MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性".半导体学报 26.10(2005):1975-1978.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相(347KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
[艾尔肯]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
[艾尔肯]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
[艾尔肯]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: MOS结构热载子注入与总剂量辐照响应的相关性.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。