XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究
汪东; 陆妩; 任迪远; 郭旗; 何承发
2005
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号35期号:5页码:493-496,500
摘要

文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验。结果表明,室温辐照条件下,该双极器件在较高剂量率下的辐射损伤没有显著区别,但在低剂量率辐照下,辐射损伤明显增加;而在高温辐照条件下,即使辐照剂量率较高,其辐射损伤也有显著的差异。最后,讨论了这种效应可能的内在机制。

关键词双极晶体管 高温辐照 剂量率效应 低剂量率辐射损伤增强效应
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:2041209
引用统计
被引频次:3[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2149
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
汪东,陆妩,任迪远,等. 双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究[J]. 微电子学,2005,35(5):493-496,500.
APA 汪东,陆妩,任迪远,郭旗,&何承发.(2005).双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究.微电子学,35(5),493-496,500.
MLA 汪东,et al."双极晶体管高温辐照的剂量率效应研究".微电子学 35.5(2005):493-496,500.
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