XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
大规模存储器电离辐射试验方法
匡治兵; 郭旗; 吾勤之; 任迪远; 陆妩
2005
Source Publication微电子学
ISSN1004-3365
Volume35Issue:5Pages:489-492
Abstract

提出了大规模存储器总剂量效应实验方法,给出了随机存储器(SRAM)、电擦除电编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器(Flash ROM)的60Coγ总剂量效应,以及辐照后在100℃高温条件下退火的实验结果。对实验现象进行了分析。

Keyword测试方法 电离辐射 总剂量效应 存储器
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:2041204
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2148
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
匡治兵,郭旗,吾勤之,等. 大规模存储器电离辐射试验方法[J]. 微电子学,2005,35(5):489-492.
APA 匡治兵,郭旗,吾勤之,任迪远,&陆妩.(2005).大规模存储器电离辐射试验方法.微电子学,35(5),489-492.
MLA 匡治兵,et al."大规模存储器电离辐射试验方法".微电子学 35.5(2005):489-492.
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