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具有SiO_2绝缘层的硅基聚酰亚胺电容式湿度传感器的特性研究
Alternative Titleproperties of the polyimide capacitive-type humidity sensor based on si substrate with a sio2 insulation layer
谢琼; 杨文; 常爱民; 康健
2003
Source Publication电子元件与材料
ISSN1001-2028
Volume22Issue:6Pages:9-10,13
Abstract

传统夹层聚酰亚胺电容式湿度传感器在亚胺化过程中感湿膜会因挥发物产生微孔,对这种传感器的成品率造成很大影响。为此,从元件的结构入手,制作Si-SiO2-PI结构的湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比。研究表明,Si-SiO2-PI结构的湿度传感器在同等测试条件下,其电容值要比传统结构样品高25%,湿度灵敏度达到1.24 pF / %,具有重复性好和一致性高的优点,并且特别利于克服薄膜孔洞和厚度不均匀造成的短路现象,有利于批量生产。

Keyword湿度传感器 聚酰亚胺 电容式 二氧化硅绝缘层
DOI10.14106/j.cnki.1001-2028.2003.06.004
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2127
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所; 新疆中科传感有限责任公司
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GB/T 7714
谢琼,杨文,常爱民,等. 具有SiO_2绝缘层的硅基聚酰亚胺电容式湿度传感器的特性研究[J]. 电子元件与材料,2003,22(6):9-10,13.
APA 谢琼,杨文,常爱民,&康健.(2003).具有SiO_2绝缘层的硅基聚酰亚胺电容式湿度传感器的特性研究.电子元件与材料,22(6),9-10,13.
MLA 谢琼,et al."具有SiO_2绝缘层的硅基聚酰亚胺电容式湿度传感器的特性研究".电子元件与材料 22.6(2003):9-10,13.
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