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题名: AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响
其他题名: effect of irradiation induced heterointerface state charges on 2deg transport property in algan/gan heterostructures
作者: 范隆; 李培咸; 郝跃
关键词: AlGaN/GaN异质结 ; 辐射 ; 界面态电荷 ; 二维电子气 ; 迁移率
刊名: 半导体学报
发表日期: 2003
卷: 24, 期:9, 页:937-941
资助者: 国防重大预研资助项目 (批准号 :4 130 80 6 0 10 6 )
摘要: 根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所限制的迁移率之间的关系 .运用马德森定则分析了辐射感生界面态电荷散射对总迁移率的影响 .分析表明 ,辐射感生界面态电荷在累积到一定量后 ,会显著影响迁移率 ,一定程度上提高 2DEG密度能抑制界面态电荷散射的作用
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2124
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AlGaN_GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响.pdf(182KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 西安电子科技大学微电子所;中国科学院新疆理化技术研究所

Recommended Citation:
范隆,李培咸,郝跃. AlGaN/GaN异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气输运的影响[J]. 半导体学报,2003,24(9):937-941.
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