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学科主题: Engineering (provided by Thomson Reuters)
题名: 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性
其他题名: relativity of radiation damage in fluorinated cmos operational amplifiers
作者: 任迪远; 陆妩; 余学锋; 郭旗; 张国强; 胡浴红; 王明刚; 赵文魁
关键词: fluorinated CMOS Op-Amps ; ionizing radiation ; transconductance
刊名: 半导体学报
发表日期: 2003
卷: 24, 期:7, 页:780-784
摘要: 在不同注 F剂量条件下 ,对 P沟和 N沟两种不同差分对输入 CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究 .分析比较了注 F和未注 F运放电路电离辐照响应之间的差异 .结果表明 ,在栅场介质注入适量的 F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长 ,从而提高 CMOS运放电路的抗辐照特性 .
英文摘要: Ionizing radiation effects on fluorinated and no F-implanted CMOS operational amplifiers are investigated,and the difference between the radiation performances is analyzed and compared. The results show that the suit F-implanted can avail-ably control the increase of radiation induced oxide charge especially for interface state so that the capacity of radiation hard-ness is improved.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2123
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不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性.pdf(171KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所; 西安微电子技术研究所

Recommended Citation:
任迪远,陆妩,余学锋,等. 不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性[J]. 半导体学报,2003,24(7):780-784.
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