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题名: 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
其他题名: ohm contact of ni electrode platinged on the high compensation single crystal si ntcr
作者: 崔志明; 陈朝阳; 巴维真; 蔡志军; 丛秀云
关键词: 电子技术 ; 高补偿硅 ; 化学沉积法 ; 硅镍化合物
刊名: 电子元件与材料
发表日期: 2006
DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2006.03.018
卷: 25, 期:3, 页:53-55
资助者: 乌鲁木齐市重点科技攻关项目(项目编号:G0401202);中国科学院“西部之光”人才培养计划项目
摘要: 采用4.5 Ω·cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅.用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极.用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线.结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触.
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内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2108
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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究.pdf(389KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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崔志明,陈朝阳,巴维真,等. 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究[J]. 电子元件与材料,2006,25(3):53-55.
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