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高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究
其他题名ohm contact of ni electrode platinged on the high compensation single crystal si ntcr
崔志明; 陈朝阳; 巴维真; 蔡志军; 丛秀云
2006
发表期刊电子元件与材料
ISSN1001-2028
卷号25期号:3页码:53-55
摘要

采用4.5 Ω·cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅.用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极.用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线.结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触.

关键词电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化合物
DOI10.14106/j.cnki.1001-2028.2006.03.018
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:2340816
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文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2108
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
崔志明,陈朝阳,巴维真,等. 高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究[J]. 电子元件与材料,2006,25(3):53-55.
APA 崔志明,陈朝阳,巴维真,蔡志军,&丛秀云.(2006).高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究.电子元件与材料,25(3),53-55.
MLA 崔志明,et al."高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究".电子元件与材料 25.3(2006):53-55.
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