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高介电栅介质材料研究进展
其他题名Development of high-k gate dielectric materials
武德起; 赵红生; 姚金城; 张东炎; 常爱民
2008
发表期刊无机材料学报
ISSN1000-324X
卷号23期号:5页码:865-871
摘要

传统的栅介质材料SiO_2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

其他摘要

The traditional gate dielectric material of SiO2 can not satisfy the need of the continuous downscaling of CMOS dimensions. High-K gate dielectric materials have attracted extensive research efforts recently and obtained great progress. In this paper, the developments of high gate materials were reviewed. Based on the authors background and research work in the area, the latest achievements of high-K gate dielectric materials on the recrystalization temperature, the low-K interface layer, and the dielectric breakdown and metal gate electrode were introduced in detail.

关键词高介电栅介质 晶化温度 低介电界面层 金属栅电极
DOI10.3724/SP.J.1077.2008.00865
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号:3388635
引用统计
被引频次:2[WOS]   [WOS记录]     [WOS相关记录]
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1987
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
武德起,赵红生,姚金城,等. 高介电栅介质材料研究进展[J]. 无机材料学报,2008,23(5):865-871.
APA 武德起,赵红生,姚金城,张东炎,&常爱民.(2008).高介电栅介质材料研究进展.无机材料学报,23(5),865-871.
MLA 武德起,et al."高介电栅介质材料研究进展".无机材料学报 23.5(2008):865-871.
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