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题名: 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
其他题名: radiation effects and annealing of power mosfet for space applications
作者: 刘刚; 余学锋; 任迪远; 牛振红; 高嵩
关键词: 金属氧化物半导体场效应功率管 ; 辐射响应 ; 退火特性
刊名: 辐射研究与辐射工艺学报
发表日期: 2006
卷: 24, 期:4, 页:201-204
摘要: 为给金属氧化物半导体场效应功率管(PowerMOSFET)在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60Co源对将应用于空间系统的两种PowerMOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,分析了PowerMOSFET器件在60Coγ射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道PowerMOSFET相比,P沟道PowerMOSFET可能更适合空间应用。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1948
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应用于空间系统的PowerMOSFET辐射响应特性.pdf(538KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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刘刚,余学锋,任迪远,等. 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J]. 辐射研究与辐射工艺学报,2006,24(4):201-204.
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