中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室  > 期刊论文
题名: JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究
其他题名: research on the method of enhancing radiation damage of jfet-input operational amplifiers
作者: 高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚
关键词: 运算放大器 ; 结型场效应管 ; 辐射损伤 ; 低剂量率 ; 加速评估
刊名: 核技术
发表日期: 2006
卷: 29, 期:8, 页:627-630
摘要: 本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。
英文摘要: A method of enhancing radiation damage for JFET-input op-amps has been studied in this paper. The results show that a circulative irradiation-annealing method can make the radiation damage of JFET-input op-amps enhanced, and radiation damage of the devices at low dose rate can be evaluated through adjusting parameters such as radiating dose rate, annealing temperature and time, etc. The possible mechanism of this method is discussed.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1944
Appears in Collections:材料物理与化学研究室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究.pdf(305KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
高嵩,陆妩,任迪远,等. JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究[J]. 核技术,2006,29(8):627-630.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[高嵩]'s Articles
[陆妩]'s Articles
[任迪远]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[高嵩]‘s Articles
[陆妩]‘s Articles
[任迪远]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace