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JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究
其他题名research on the method of enhancing radiation damage of jfet-input operational amplifiers
高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚
2006
发表期刊核技术
ISSN0253-3219
卷号29期号:8页码:627-630
摘要

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究。结果表明,采用循环辐照—退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况。文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析。

其他摘要

A method of enhancing radiation damage for JFET-input op-amps has been studied in this paper. The results show that a circulative irradiation-annealing method can make the radiation damage of JFET-input op-amps enhanced, and radiation damage of the devices at low dose rate can be evaluated through adjusting parameters such as radiating dose rate, annealing temperature and time, etc. The possible mechanism of this method is discussed.

关键词运算放大器 结型场效应管 辐射损伤 低剂量率 加速评估
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:2476419
引用统计
被引频次:1[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1944
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
高嵩,陆妩,任迪远,等. JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究[J]. 核技术,2006,29(8):627-630.
APA 高嵩,陆妩,任迪远,牛振红,&刘刚.(2006).JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究.核技术,29(8),627-630.
MLA 高嵩,et al."JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究".核技术 29.8(2006):627-630.
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