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题名: SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性
其他题名: total dose gamma irradiation effects and annealing characteristics of a sige hbt
作者: 牛振红; 郭旗; 任迪远; 刘刚; 高嵩
关键词: SiGe异质结双极晶体管 ; 电离辐射 ; 退火 ; 后损伤效应
刊名: 半导体学报
发表日期: 2006
卷: 27, 期:9, 页:1608-1611
摘要: 研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Coγ射线100Gy(Si)~10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明SiGeHBT具有“后损伤”效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的.
英文摘要: The total-dose radiation effects and annealing characteristics of a SiGe HBT are studied. It is found that the degradation of the current gain is dominated by the increase of Ib. The mechanisms behind the post-damage effects of total-dose radiation are discussed. The chief factor that causes post-damage effects is the increase in the interface states.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1942
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SiGeHBT_60_Co_射线辐照效应及退火特性.pdf(348KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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牛振红,郭旗,任迪远,等. SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性[J]. 半导体学报,2006,27(9):1608-1611.
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