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双极运算放大器辐射损伤的时间相关性; 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性
其他题名time dependence of radiation damage in bipolar operational amplifiers ; time dependence of radiation damage in bipolar operational amplifiers
高嵩; 陆妩; 任迪远; 牛振红; 刘刚
2006 ; 2006
发表期刊半导体学报 ; 半导体学报
ISSN2534177 ; 2534177
卷号27期号:7页码:1280-1284
摘要通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.; 通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.
其他摘要The time dependence of radiation damage in bipolar op-amps is studied through a series of radiation experiments. The results show that radiation damage in bipolar op-amps is closely related to time, and we can evaluate low-dose rate radiation damage in devices by adjusting radiating the dose rate, annealing temperature, and annealing time parameters to experiment on circulating radiation-anneal. From the interface states point of view, the possible mechanisms of radiation damage are also analyzed.; The time dependence of radiation damage in bipolar op-amps is studied through a series of radiation experiments. The results show that radiation damage in bipolar op-amps is closely related to time, and we can evaluate low-dose rate radiation damage in devices by adjusting radiating the dose rate, annealing temperature, and annealing time parameters to experiment on circulating radiation-anneal. From the interface states point of view, the possible mechanisms of radiation damage are also analyzed.
部门归属中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039 ; 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039
关键词Annealing Annealing Evaluation Evaluation Radiation Damage Radiation Damage
语种中文 ; 中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1919
专题材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
高嵩,陆妩,任迪远,等. 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性, 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性[J]. 半导体学报, 半导体学报,2006, 2006,27, 27(7):1280-1284, 1280-1284.
APA 高嵩,陆妩,任迪远,牛振红,&刘刚.(2006).双极运算放大器辐射损伤的时间相关性.半导体学报,27(7),1280-1284.
MLA 高嵩,et al."双极运算放大器辐射损伤的时间相关性".半导体学报 27.7(2006):1280-1284.
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