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题名: 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性; 双极运算放大器辐射损伤的时间相关性
其他题名: time dependence of radiation damage in bipolar operational amplifiers; time dependence of radiation damage in bipolar operational amplifiers
作者: 高嵩 ; 高嵩 ; 陆妩 ; 陆妩 ; 任迪远 ; 任迪远 ; 牛振红 ; 牛振红 ; 刘刚 ; 刘刚
关键词: Annealing ; Annealing ; Evaluation ; Evaluation ; Radiation damage ; Radiation damage
刊名: 半导体学报 ; 半导体学报
发表日期: 2006 ; 2006
卷: 27, 期:7, 页:1280-1284
部门归属: 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039 ; 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039,乌鲁木齐830011,中国科学院研究生院,北京100039
摘要: 通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.; 通过一系列辐照实验对双极运放辐射损伤的时间相关性进行了研究.结果表明,双极运放的辐射损伤与时间有着密切的关系,通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数进行循环辐照-退火实验,可以测评出器件的低剂量率辐射损伤情况,并从界面态角度对这种损伤机理进行了分析.
英文摘要: The time dependence of radiation damage in bipolar op-amps is studied through a series of radiation experiments. The results show that radiation damage in bipolar op-amps is closely related to time, and we can evaluate low-dose rate radiation damage in devices by adjusting radiating the dose rate, annealing temperature, and annealing time parameters to experiment on circulating radiation-anneal. From the interface states point of view, the possible mechanisms of radiation damage are also analyzed.; The time dependence of radiation damage in bipolar op-amps is studied through a series of radiation experiments. The results show that radiation damage in bipolar op-amps is closely related to time, and we can evaluate low-dose rate radiation damage in devices by adjusting radiating the dose rate, annealing temperature, and annealing time parameters to experiment on circulating radiation-anneal. From the interface states point of view, the possible mechanisms of radiation damage are also analyzed.
语种: 中文 ; 中文
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1919
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高嵩;陆妩;任迪远;牛振红;刘刚.双极运算放大器辐射损伤的时间相关性,半导体学报,2006,27(7):1280-1284
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