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题名: Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布
其他题名: the si/sio2 system's damage and energy band distribution of interface states induced by total dose radiation
作者: 余学峰; 张国强; 艾尔肯; 郭旗; 陆妩; 任迪远
关键词: MOS电容 ; 氧化物电荷 ; 界面态 ; 能级分布
刊名: 核电子学与探测技术
发表日期: 2006
卷: 26, 期:3, 页:328-330
摘要: 对比了目前常用的三种用54HC电路制作工艺制作的MOS电容的总剂量辐射实验结果,并从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度,研究了在不同制作工艺条件下,54HC电路Si/SiO2系统总剂量辐射损伤特性。
英文摘要: Responses of three kinds of MOS capacitors to the total dose radiation have been compared and studied. The characteristic and mechanism of the radiation inducing damage in the Si/SiO2 system were explored from the view of the generation of the oxide charges and interface states, and, especially, the change of the energy band of interface states.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1915
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Si_SiO_2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布.pdf(110KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所

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余学峰,张国强,艾尔肯,等. Si/SiO2系统的总剂量辐射损伤及辐射感生界面态的能级分布[J]. 核电子学与探测技术,2006,26(3):328-330.
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