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10位双极数模转换器的电离辐射效应
Alternative Titleionizing radiation effect of a 10-bit bipolar d/a converter
王义元; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 高博; 李鹏伟; 于跃
2009
Source Publication固体电子学研究与进展
ISSN1000-3819
Volume29Issue:4Pages:551-555
Abstract

研究了国产互补双极工艺生产的数模转换器(D/A转换器)在不同偏置和不同剂量率条件下的电离辐射效应及退火特性。研究结果表明:D/A转换器对偏置条件和辐照剂量率都很敏感。大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;而在低剂量率辐照情况下,各参数变化显著,超出器件允许范围,器件功能失效。因此,D/A转换器表现出明显的低剂量率辐射损伤增强效应(ELDRS)。零偏时,D/A转换器功能参数损伤变化更加严重。最后,结合边缘电场效应和空间电荷模型对这种不同偏置和剂量率条件下的损伤机理进行了初步的探讨。

Keyword双极数模转换器 60co辐照 低剂量率辐射损伤增强效应 偏置条件
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:3787841
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1820
Collection材料物理与化学研究室
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
王义元,陆妩,任迪远,等. 10位双极数模转换器的电离辐射效应[J]. 固体电子学研究与进展,2009,29(4):551-555.
APA 王义元.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,高博.,...&于跃.(2009).10位双极数模转换器的电离辐射效应.固体电子学研究与进展,29(4),551-555.
MLA 王义元,et al."10位双极数模转换器的电离辐射效应".固体电子学研究与进展 29.4(2009):551-555.
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