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题名: 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能
其他题名: physical and electrical properties of zro2 gate dielectrics film
作者: 武德起; 姚金城; 赵红生; 常爱民; 李锋; 周阳
关键词: ZrO2薄膜 ; 高介电栅介质 ; 等效厚度 ; 漏电流
刊名: 河北大学学报(自然科学版)
发表日期: 2009
卷: 29, 期:5, 页:484-488,554
资助者: 中科院研究生科学与社会实践资助专项创新研究项目;中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目
摘要: 采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1808
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高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能.pdf(494KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院半导体所;中国科学院研究生院;河北大学物理科学与技术学院

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武德起,姚金城,赵红生,等. 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能[J]. 河北大学学报(自然科学版),2009,29(5):484-488,554.
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