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高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能
其他题名physical and electrical properties of zro2 gate dielectrics film
武德起; 姚金城; 赵红生; 常爱民; 李锋; 周阳
2009
发表期刊河北大学学报(自然科学版)
ISSN1000-1565
卷号29期号:5页码:484-488,554
摘要采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
关键词Zro2薄膜 高介电栅介质 等效厚度 漏电流
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1808
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院半导体所;中国科学院研究生院;河北大学物理科学与技术学院
推荐引用方式
GB/T 7714
武德起,姚金城,赵红生,等. 高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能[J]. 河北大学学报(自然科学版),2009,29(5):484-488,554.
APA 武德起,姚金城,赵红生,常爱民,李锋,&周阳.(2009).高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能.河北大学学报(自然科学版),29(5),484-488,554.
MLA 武德起,et al."高介电栅介质ZrO2薄膜的物理电学性能".河北大学学报(自然科学版) 29.5(2009):484-488,554.
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