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题名: 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性
其他题名: characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas
作者: 郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 郭旗; 余学锋; 何承发
关键词: 发射极面积 ; 国产npn晶体管 ; 剂量率 ; 辐射损伤
刊名: 物理学报
发表日期: 2009
卷: 58, 期:8, 页:5572-5577
收录类别: SCI
资助者: 模拟集成电路国家重点实验室基金资助
摘要: 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1795
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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性.pdf(282KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性[J]. 物理学报,2009,58(8):5572-5577.
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