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题名: 屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤
其他题名: electron-induced damage of cmos with shielded packages
作者: 文林; 郭旗; 张军; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽
关键词: 抗辐射屏蔽材料 ; CMOS ; 电子辐照 ; 静态功耗电流
刊名: 核电子学与探测技术
发表日期: 2009
卷: 29, 期:2, 页:398-401
摘要: 为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1788
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屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤.pdf(136KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所

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文林,郭旗,张军,等. 屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤[J]. 核电子学与探测技术,2009,29(2):398-401.
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