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屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤
其他题名electron-induced damage of cmos with shielded packages
文林; 郭旗; 张军; 任迪远; 孙静; 郑玉展; 王改丽
2009
发表期刊核电子学与探测技术
ISSN0258-0934
卷号29期号:2页码:398-401
摘要

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究。通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理。通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流。

关键词抗辐射屏蔽材料 Cmos 电子辐照 静态功耗电流
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:3592177
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1788
专题材料物理与化学研究室
作者单位新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
文林,郭旗,张军,等. 屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤[J]. 核电子学与探测技术,2009,29(2):398-401.
APA 文林.,郭旗.,张军.,任迪远.,孙静.,...&王改丽.(2009).屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤.核电子学与探测技术,29(2),398-401.
MLA 文林,et al."屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤".核电子学与探测技术 29.2(2009):398-401.
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