XJIPC OpenIR  > 材料物理与化学研究室
剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
其他题名influence of dose rate on radiation response of pmosfet dosimeter
孙静; 郭旗; 张军; 任迪远; 陆妩; 余学锋; 文林; 王改丽; 郑玉展
2009
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号39期号:1页码:128-131
摘要

研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加。分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论。

关键词Pmosfet 剂量计 剂量率 阈值响应 灵敏度
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:3524618
引用统计
被引频次:4[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1765
专题材料物理与化学研究室
作者单位新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
孙静,郭旗,张军,等. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响[J]. 微电子学,2009,39(1):128-131.
APA 孙静.,郭旗.,张军.,任迪远.,陆妩.,...&郑玉展.(2009).剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响.微电子学,39(1),128-131.
MLA 孙静,et al."剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响".微电子学 39.1(2009):128-131.
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剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响.p(269KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
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