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题名: 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
其他题名: influence of dose rate on radiation response of pmosfet dosimeter
作者: 孙静; 郭旗; 张军; 任迪远; 陆妩; 余学锋; 文林; 王改丽; 郑玉展
关键词: PMOSFET ; 剂量计 ; 剂量率 ; 阈值响应 ; 灵敏度
刊名: 微电子学
发表日期: 2009
卷: 39, 期:1, 页:128-131
摘要: 研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应。在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性。试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加。分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1765
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剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响.pdf(269KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 新疆大学物理科学与技术学院;中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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孙静,郭旗,张军,等. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响[J]. 微电子学,2009,39(1):128-131.
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