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题名: Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性
作者: 董茂进; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云; 王军华; 陶明德
关键词: 双重掺杂 ; 深能级杂质 ; Au ; Ni ; 热敏特性
刊名: 功能材料
发表日期: 2009
卷: 40, 期:1, 页:37-39
资助者: 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目
摘要: 为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率2ρ5=64~416Ω.cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致。
英文摘要: In order to obtaln the low resistance and high B-value crystal silicon material, smearlng Au and Ni impurities were doped ln n-type silicon and were put ln openlng environment to heart. The thermal-sensitive silicon material is obtalned. The characteristics of the material are measured and analyzed. It is shown that the electrical resistivity of the material is low, and it is still n-type, low compensated, the electrical resistivities are ρ25=64-416 Ω·cm under room temperature, the B-values are about 5300 K. The B-value calculated by the theory of the semiconductor deep level energy is basically identical with the test value.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1761
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Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性.pdf(187KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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董茂进,陈朝阳,范艳伟,等. Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性[J]. 功能材料,2009,40(1):37-39.
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