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题名: CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究
其他题名: research on the total dose irradiation and annealing effects of cmos sram
作者: 李茂顺; 余学峰; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 陈睿; 费武雄; 赵云
关键词: 静态随机存储器 ; 总剂量辐射 ; 退火
刊名: 核电子学与探测技术
发表日期: 2010
卷: 30, 期:8, 页:1087-1091,1097
摘要: 对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1758
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CMOSSRAM总剂量辐射及退火效应研究.pdf(569KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
李茂顺,余学峰,郭旗,等. CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究[J]. 核电子学与探测技术,2010,30(8):1087-1091,1097.
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