CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究
其他题名research on the total dose irradiation and annealing effects of cmos sram
李茂顺; 余学峰; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 陈睿; 费武雄; 赵云
2010
发表期刊核电子学与探测技术
ISSN0258-0934
卷号30期号:8页码:1087-1091,1097
摘要对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的退化与功能失效有密切相关性,非常适合作为辐射环境下器件功能失效的预警量;SRAM的读写出错数存在辐射剂量阈值,超过阈值时出错数便会指数增加;退火过程可以使器件参数恢复到初始值附近,其中高温退火对出错数的恢复作用更加明显。
关键词静态随机存储器 总剂量辐射 退火
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1758
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
李茂顺,余学峰,郭旗,等. CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究[J]. 核电子学与探测技术,2010,30(8):1087-1091,1097.
APA 李茂顺.,余学峰.,郭旗.,李豫东.,高博.,...&赵云.(2010).CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究.核电子学与探测技术,30(8),1087-1091,1097.
MLA 李茂顺,et al."CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应研究".核电子学与探测技术 30.8(2010):1087-1091,1097.
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