Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应
高博; 余学峰; 任迪远; 王义元; 李豫东; 孙静; 李茂顺; 崔江维
2010
发表期刊强激光与粒子束
ISSN1001-4322
卷号22期号:11页码:2724-2728
摘要

为了考核FPGA器件空间使用时的抗辐射能力,对Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤效应及退火效应进行了研究。通过不同模块实现相同的分频功能,比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系;通过实现不同源程序所需的模块不同,比较了不同模块、不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系。分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因,讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异。测量了输出端口的高低电平,分析了高低电平随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:氧化物正电荷的退火导致了不同退火温度下的功耗电流的恢复,并且浅能级亚稳态的氧化物正电荷的数量多于深能级氧化物正电荷的数量;随着退火时间的增加,功能恢复为突变过程,而功耗电流的恢复为渐变过程。

其他摘要

The total-dose irradiation damage effects and post-irradiation annealing behavior of Altera SRAM-based FPGA were investigated in order to assess the anti-radiation level of FPGA devices used in space. Different modules were used to achieve the function of frequency division, and output waveforms of distinct modules changed following the total dose and annealing time. As various programs have different modules, by comparing power currents varying with the total dose and annealing time of different programs, different modules accumulated dose and annealing time were discussed. At the same time, the cause and difference of power current restoration under various annealing temperature were analysed. In the end, high and low level voltages at the output terminal were measured, and their relations with accumulated dose and annealing time were analyzed. The experiment results show that the annealing of the positive oxide charges would cause the recovery of the power current under various annealing temperature. With the increasing of annealing time, the functional recovery is sudden while the recovery of power currents is gradual.

关键词Sram型fpga 60coγ 总剂量辐射损伤效应 退火效应
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4037007
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1757
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
高博,余学峰,任迪远,等. Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应[J]. 强激光与粒子束,2010,22(11):2724-2728.
APA 高博.,余学峰.,任迪远.,王义元.,李豫东.,...&崔江维.(2010).Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应.强激光与粒子束,22(11),2724-2728.
MLA 高博,et al."Altera SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应".强激光与粒子束 22.11(2010):2724-2728.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
AlteraSRAM型FPGA器件总剂量(398KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[高博]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[高博]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[高博]的文章
[余学峰]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: AlteraSRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。