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题名: 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究
作者: 崔江维; 余学峰; 刘刚; 李茂顺; 高博; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿
通讯作者: Yu, X.-F.
关键词: 总剂量辐照效应 ; 退火 ; 亚阈曲线
刊名: 原子能科学技术
发表日期: 2010
卷: 44, 期:11, 页:1385-1389
收录类别: CSCD
摘要: 对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电荷,使得退火后背栅曲线仍与初始值有一定负向距离。
英文摘要: Total dose irradiation and annealing effects of domestic partially-depleted SOI PMOSFET were studied. It is found that the back gate is more sensitive to total dose irradiation. It is the deep level interface traps that mainly decrease the saturated current. During annealing, it is the interface traps that determine the balance position of the top gate sub-threshold curve. While the tunneling and thermal emission electrons can only neutralize parts of the oxide traps in the buried oxide, making the back gate sub-threshold curve negatively away from the original one after a long time annealing.
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内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1754
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国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究.pdf(1132KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;中国科学院微电子研究所

Recommended Citation:
崔江维,余学峰,刘刚,等. 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究[J]. 原子能科学技术,2010,44(11):1385-1389.
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