不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究
兰博; 郭旗; 孙静; 崔江维; 李茂顺; 费武雄; 陈睿; 赵云
2010
Source Publication核技术
ISSN0253-3219
Volume33Issue:7Pages:543-546
Abstract

对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。

KeywordPmosfets 偏置 剂量率 时间相关效应 低剂量率损伤增强效应
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:3907749
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1747
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Corresponding Author郭旗
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
兰博,郭旗,孙静,等. 不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究[J]. 核技术,2010,33(7):543-546.
APA 兰博.,郭旗.,孙静.,崔江维.,李茂顺.,...&赵云.(2010).不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究.核技术,33(7),543-546.
MLA 兰博,et al."不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究".核技术 33.7(2010):543-546.
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