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题名: 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
作者: 陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博; 崔江维
关键词: 模数转换器 ; 60Coγ辐照 ; 室温退火 ; 偏置条件
刊名: 原子能科学技术
发表日期: 2010
卷: 44, 期:10, 页:1252-1256
摘要: 对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
英文摘要: Radiation effects and room-temperature annealing behavior of CMOS analog to digital converters (ADC) irradiated by 60Co γ-rays at various biased conditions were investigated. The results show that the response of the ADC is very different at different bias conditions. The worst irradiation bias condition is zero bias at 0.25 Gy/s(Si) irradiation. Based on the analysis of the mechanism of CMOS ionizing radiation damage, possible sensitive parameters and mechanism for this response were discussed.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1745
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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应.pdf(226KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
陈睿,陆妩,任迪远,等. 不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[J]. 原子能科学技术,2010,44(10):1252-1256.
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