正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
2010
Source Publication核技术
ISSN0253-3219
Volume33Issue:5Pages:357-361
Abstract

对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。

KeywordJfet输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤
Indexed ByCSCD
CSCD IDCSCD:3922719
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1721
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Corresponding Author陆妩
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤[J]. 核技术,2010,33(5):357-361.
APA 郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,&费武雄.(2010).正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤.核技术,33(5),357-361.
MLA 郑玉展,et al."正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤".核技术 33.5(2010):357-361.
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