正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
2010
发表期刊核技术
期号5页码:357-361
摘要对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。
关键词Jfet输入运算放大器 正常工作状态 零偏置状态 辐射损伤
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1721
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
郑玉展,陆妩,任迪远,等. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤[J]. 核技术,2010(5):357-361.
APA 郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,&费武雄.(2010).正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤.核技术(5),357-361.
MLA 郑玉展,et al."正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤".核技术 .5(2010):357-361.
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