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题名: 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤
作者: 郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
关键词: JFET输入运算放大器 ; 正常工作状态 ; 零偏置状态 ; 辐射损伤
刊名: 核技术
发表日期: 2010
期: 5, 页:357-361
摘要: 对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1721
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正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤.pdf(668KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

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郑玉展,陆妩,任迪远,等. 正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤[J]. 核技术,2010(5):357-361.
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