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题名: 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
其他题名: the low dose rate radiation response of npn bipolar transistors under different bias
作者: 费武雄; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 陈睿; 王志宽; 杨永晖; 李茂顺; 兰博; 崔江维; 赵云
关键词: NPN双极晶体管 ; 低剂量率 ; 偏置 ; 60Coγ辐照
刊名: 核技术
发表日期: 2010
卷: 33, 期:4, 页:274-277
摘要: 对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1712
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不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响.pdf(985KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;集成电路国家重点实验室

Recommended Citation:
费武雄,陆妩,任迪远,等. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响[J]. 核技术,2010,33(4):274-277.
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