不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
其他题名the low dose rate radiation response of npn bipolar transistors under different bias
费武雄; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 陈睿; 王志宽; 杨永晖; 李茂顺; 兰博; 崔江维; 赵云
2010
发表期刊核技术
ISSN0253-3219
卷号33期号:4页码:274-277
摘要

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。

关键词Npn双极晶体管 低剂量率 偏置 60coγ辐照
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:3922700
引用统计
被引频次:3[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1712
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;集成电路国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
费武雄,陆妩,任迪远,等. 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响[J]. 核技术,2010,33(4):274-277.
APA 费武雄.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,...&赵云.(2010).不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响.核技术,33(4),274-277.
MLA 费武雄,et al."不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响".核技术 33.4(2010):274-277.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离(985KB)期刊论文作者接受稿开放获取CC BY-NC-SA浏览 请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[费武雄]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[费武雄]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[费武雄]的文章
[陆妩]的文章
[任迪远]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
文件名: 不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。