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光致荧光辐射剂量测量方法研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  陈朝阳;  范艳伟;  巴维真;  刘秋江;  刘艳平;  汤新强;  郭旗
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光激励发光剂量计  剂量探测  空间辐射  在线测量  辐射剂量  
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  费武雄;  赵云;  王志宽;  杨永晖;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  陈睿;  李茂顺;  兰博;  崔江维
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Npn双极晶体管  低剂量率  偏置条件  电离辐照  
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  陈睿;  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  费武雄;  李茂顺;  兰博
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模数转换器  60coγ辐照  室温退火  偏置条件  
工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  郑玉展;  陆妩;  任迪远;  王义元;  陈睿;  费武雄
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Jfet输入运算放大器  正常工作状态  零偏置状态  辐射损伤  
γ射线在不同材料吸收剂量换算的Monte Carlo模拟 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  何承发;  郭旗;  陆妩;  任迪远;  余学峰;  文林;  孙静;  赵云
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吸收剂量  Γ射线  蒙特卡罗  
国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  高博;  余学峰;  任迪远;  刘刚;  王义元;  孙静;  文林;  李茂顺;  崔江维
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Vdmos器件  总剂量  辐射效应  退火效应  
国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 会议论文
, 北京, 2009-11-18
Authors:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博;  兰博;  赵云;  费武雄;  陈睿
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60coγ射线  总剂量辐照  退火效应  界面态陷阱电荷亚阈曲线  
JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  陆妩;  任迪远;  郭旗;  余学峰
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Jfet  运算放大器  伽马射线辐射  剂量率  加速评估  
不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  张华林;  陆妩;  任迪远;  余学峰;  郭旗
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Mosfet  电离辐照  数字集成电路  阈电压漂移  
不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究 会议论文
, 重庆, 2007
Authors:  余学峰;  艾尔肯;  陆妩;  郭旗;  任迪远
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时间特性  总剂量辐照  辐照损伤  Cmos