不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应
席善斌; 陆妩; 郑玉展; 许发月; 周东; 李明; 王飞; 王志宽; 杨永晖
2010
Source Publication原子能科学技术
ISSN1000-6931
Volume44增刊Issue:1Pages:533-537
Abstract

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。

KeywordNpn双极晶体管 60coγ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1699
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Corresponding Author陆妩
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
席善斌,陆妩,郑玉展,等. 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应[J]. 原子能科学技术,2010,44增刊(1):533-537.
APA 席善斌.,陆妩.,郑玉展.,许发月.,周东.,...&杨永晖.(2010).不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应.原子能科学技术,44增刊(1),533-537.
MLA 席善斌,et al."不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应".原子能科学技术 44增刊.1(2010):533-537.
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