Al2O3掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料性能的影响
其他题名effects of al2o3 doping on the properties of mnconi system ntc thermistor materials
黄霞; 姚金城; 常爱民; 刘力; 彭昌文
2011
发表期刊电子元件与材料
ISSN1001-2028
卷号30期号:7页码:25-28
摘要

采用传统固相法制备了Co1.5 xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明:随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,电阻率和材料常数B值由339.07Ω·cm、3489.07K分别增加到3723.89Ω·cm、3956.80K,电学稳定性由1.65%提高至0.17%。

其他摘要

Co_(1.5-x)Mn_(1.2)Ni_(0.3)Al_xO_4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC thermistor materials were prepared by the traditional solid-state reaction method.The effects of Al_2O_3 doping on the microstructure and electric properties of prepared materials were studied through XRD,SEM and several instruments for electrical properties characterization.The results indicate that Al_2O_3 doping shows little effect on the crystal structure of prepared materials.However,with increasing Al_2O_3 content,the grain size of the MnCoNi thermistor materials decreases,while the resistivity,material constant B value and electrical stability increase from 339.07Omega·cm,3 489.07 K and 1.65%to 3 723.89Omega·cm,3 956.80 K and 0.17%,respectively.

关键词Al2o3掺杂 Ntc热敏电阻 尖晶石 Mnconi系 电稳定性
学科领域Engineering (Provided By Thomson Reuters)
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4249810
引用统计
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1573
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
黄霞,姚金城,常爱民,等. Al2O3掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料性能的影响[J]. 电子元件与材料,2011,30(7):25-28.
APA 黄霞,姚金城,常爱民,刘力,&彭昌文.(2011).Al2O3掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料性能的影响.电子元件与材料,30(7),25-28.
MLA 黄霞,et al."Al2O3掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料性能的影响".电子元件与材料 30.7(2011):25-28.
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