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题名: 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究
其他题名: study of ntcr based on doping au and pt into single crystal silicon
作者: 张希涛; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云
关键词: NTC热敏电阻 ; 单晶硅 ; ; ; 深能级杂质
刊名: 电子元件与材料
发表日期: 2011
卷: 30, 期:6, 页:29-32
资助者: 新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(No.2010211B24)
摘要: 采用开管涂源法,对ρ25为7?.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明:扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在(2~3)×103?.cm。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1562
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金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究.pdf(884KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院

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张希涛,陈朝阳,范艳伟,等. 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究[J]. 电子元件与材料,2011,30(6):29-32.
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