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金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究
其他题名study of ntcr based on doping au and pt into single crystal silicon
张希涛; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云
2011
发表期刊电子元件与材料
ISSN1001-2028
卷号30期号:6页码:29-32
摘要

采用开管涂源法,对ρ25为7?.cm的n型单晶硅进行了Au和Pt双重掺杂,制备了低阻高B型NTCR。研究了扩散时间和扩散温度对样品参数的影响,并进行了相关的测试和分析。结果表明:扩散温度θ=1 200℃、扩散时间t≥2 h时,导电类型反型为p型,此时B25/50值不再随扩散时间明显变化,而是稳定在4 000 K左右,ρ25恒定在(2~3)×103?.cm。

关键词Ntc热敏电阻 单晶硅 深能级杂质
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1562
专题材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
张希涛,陈朝阳,范艳伟,等. 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究[J]. 电子元件与材料,2011,30(6):29-32.
APA 张希涛,陈朝阳,范艳伟,&丛秀云.(2011).金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究.电子元件与材料,30(6),29-32.
MLA 张希涛,et al."金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究".电子元件与材料 30.6(2011):29-32.
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文件名: 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究.pdf
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