不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响
席善斌; 王志宽; 陆妩; 王义元; 许发月; 周东; 李明; 王飞; 杨永晖
2011
发表期刊核技术
ISSN0253-3219
卷号34期号:3页码:205-208
摘要

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。

关键词Npn双极晶体管 60co-γ辐照 基区掺杂浓度 辐照偏置
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4164234
引用统计
被引频次:1[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1539
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
席善斌,王志宽,陆妩,等. 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响[J]. 核技术,2011,34(3):205-208.
APA 席善斌.,王志宽.,陆妩.,王义元.,许发月.,...&杨永晖.(2011).不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响.核技术,34(3),205-208.
MLA 席善斌,et al."不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响".核技术 34.3(2011):205-208.
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