10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应
其他题名radiation effects of a 10-bit cmos a/d converter under different dose rates
陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博
2011
发表期刊核电子学与探测技术
ISSN0258-0934
卷号31期号:2页码:204-208
摘要

对10位CMOS模数转换器ADC7910的~(60)Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示:模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损伤明显大于低剂量率的辐照,但这种差异可通过高剂量率辐照加与低剂量率辐照相同时间的室温退火来消除,因而具有时间相关效应。对辐射敏感参数和损伤机理进行了初步探讨。

关键词模数转换器 辐射效应 室温退火
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4171373
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1538
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
陈睿,陆妩,任迪远,等. 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应[J]. 核电子学与探测技术,2011,31(2):204-208.
APA 陈睿.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,...&兰博.(2011).10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应.核电子学与探测技术,31(2),204-208.
MLA 陈睿,et al."10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应".核电子学与探测技术 31.2(2011):204-208.
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