中国科学院新疆理化技术研究所机构知识库
Advanced  
XJIPC OpenIR  > 新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室  > 期刊论文
题名: 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应
其他题名: radiation effects of a 10-bit cmos a/d converter under different dose rates
作者: 陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博
关键词: 模数转换器 ; 辐射效应 ; 室温退火
刊名: 核电子学与探测技术
发表日期: 2011
卷: 31, 期:2, 页:204-208
摘要: 对10位CMOS模数转换器ADC7910的~(60)Coγ射线的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果显示:模数混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有明显区别,在高剂量率辐照下的损伤明显大于低剂量率的辐照,但这种差异可通过高剂量率辐照加与低剂量率辐照相同时间的室温退火来消除,因而具有时间相关效应。对辐射敏感参数和损伤机理进行了初步探讨。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1538
Appears in Collections:新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室_期刊论文

Files in This Item:
File Name/ File Size Content Type Version Access License
10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应.pdf(720KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
陈睿,陆妩,任迪远,等. 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应[J]. 核电子学与探测技术,2011,31(2):204-208.
Service
Recommend this item
Sava as my favorate item
Show this item's statistics
Export Endnote File
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈睿]'s Articles
[陆妩]'s Articles
[任迪远]'s Articles
CSDL cross search
Similar articles in CSDL Cross Search
[陈睿]‘s Articles
[陆妩]‘s Articles
[任迪远]‘s Articles
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
Add to CiteULike Add to Connotea Add to Del.icio.us Add to Digg Add to Reddit
文件名: 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应.pdf
格式: Adobe PDF
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Powered by CSpace