不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
其他题名total dose irradiation effects of cmos sram under different bias conditions
李茂顺; 余学峰; 任迪远; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 费武雄; 陈睿; 赵云
2011
发表期刊微电子学
ISSN1004-3365
卷号41期号:1页码:128-132
摘要

对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。

关键词静态随机存取存储器 总剂量辐照 偏置条件
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4161876
引用统计
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1531
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
李茂顺,余学峰,任迪远,等. 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应[J]. 微电子学,2011,41(1):128-132.
APA 李茂顺.,余学峰.,任迪远.,郭旗.,李豫东.,...&赵云.(2011).不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应.微电子学,41(1),128-132.
MLA 李茂顺,et al."不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应".微电子学 41.1(2011):128-132.
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