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题名: 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应
其他题名: total dose irradiation effects of cmos sram under different bias conditions
作者: 李茂顺; 余学峰; 任迪远; 郭旗; 李豫东; 高博; 崔江维; 兰博; 费武雄; 陈睿; 赵云
关键词: 静态随机存取存储器 ; 总剂量辐照 ; 偏置条件
刊名: 微电子学
发表日期: 2011
卷: 41, 期:1, 页:128-132
摘要: 对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在三种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1531
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不同偏置条件下CMOSSRAM的总剂量辐射效应.pdf(389KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

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李茂顺,余学峰,任迪远,等. 不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应[J]. 微电子学,2011,41(1):128-132.
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