静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
Alternative Titleresearch on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
高博; 余学峰; 任迪远; 李豫东; 崔江维; 李茂顺; 李明; 王义元
2011
Source Publication物理学报
ISSN1000-3290
Volume60Issue:3Pages:442-447
Abstract

本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究AlteraSRAM型FPGA器件~(60)Coγ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.

Keyword60coγ 总剂量辐射损伤效应 Sram型fpga Cmos单元
Indexed BySCI ; CSCD
CSCD IDCSCD:4153571
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1530
Collection新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
Corresponding Author余学峰
Affiliation中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
Recommended Citation
GB/T 7714
高博,余学峰,任迪远,等. 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究[J]. 物理学报,2011,60(3):442-447.
APA 高博.,余学峰.,任迪远.,李豫东.,崔江维.,...&王义元.(2011).静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究.物理学报,60(3),442-447.
MLA 高博,et al."静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究".物理学报 60.3(2011):442-447.
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