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题名: 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
其他题名: research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
作者: 高博; 余学峰; 任迪远; 李豫东; 崔江维; 李茂顺; 李明; 王义元
关键词: 60Coγ ; 总剂量辐射损伤效应 ; SRAM型FPGA ; CMOS单元
刊名: 物理学报
发表日期: 2011
卷: 60, 期:3, 页:442-447
收录类别: SCI
摘要: 本文从FPGA器件内部最基本的CMOS单元出发,分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系,进而研究AlteraSRAM型FPGA器件~(60)Coγ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应.实验结果表明:由于场氧漏电和结构漏电的影响,随着累积剂量的增加输出波形发生畸变,峰峰值变为原来的十分之一左右,但输出波形还有相对的高低电平;同时,输出高电平不能保持原有的状态,迅速地向低电平转换,并且转换速度随着累积剂量的增加而加快,输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄,输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1530
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静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究.pdf(268KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
高博,余学峰,任迪远,等. 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究[J]. 物理学报,2011,60(3):442-447.
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